[实用新型]嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件

摘要

本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。

主权项

一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件，包括：MOSFET和SCR，其特征在于：所述的MOSFET为环形栅MOSFET，其中环形栅NMOS管的源端和栅端通过金属导线连接到SCR的阴极；环形栅PMOS管的源端和栅端通过金属导线连接到SCR的阳极。