[实用新型]覆晶式LED芯片有效
申请号: | 201420082716.6 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN203721756U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 | 申请(专利权)人: | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
地址: | 518000 广东省深圳市西丽街道阳光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种覆晶式LED芯片,与现有技术不同的是,其反射层的正面设有第一导电层,第一导电层用于分别电性连接第一电极和第二电极以形成第一电极区和第二电极区;第一导电层的正面设有隔离层,隔离层覆盖该覆晶式LED芯片的顶面和第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面;隔离层的正面设有第二导电层,第二导电层用于分别通过设于第一导电孔和第二导电孔中的导电金属电极分别电性连接第一电极区和第二电极区。本实用新型的有益效果是:通过在覆晶式LED芯片的正面设置两层导电层和一层隔离层,可以有效防止LED芯片漏电,显著提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 覆晶式 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种覆晶式LED芯片,包括衬底,由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层;还包括至少一个第一电极孔和至少一个第二电极孔,所述第一电极孔由所述反射层贯穿至发光层并暴露出第一导电型半导体层,所述第二电极孔贯穿反射层并暴露出导电层,第一电极孔的孔壁上涂覆有绝缘层;第一电极孔内设有第一电极,所述第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触;第二电极孔内设有第二电极,所述第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触;其特征在于,所述反射层的正面设有第一导电层,所述第一导电层用于分别电性连接第一电极和第二电极以形成第一电极区和第二电极区,第一导电层上暴露第一电极和第二电极;第一导电层的正面设有隔离层,所述隔离层覆盖该覆晶式LED芯片的顶面和第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面的部分或者全部,隔离层上设有暴露第一电极区的第一导电孔和暴露第二电极区的第二导电孔;隔离层的正面设有第二导电层,所述第二导电层用于分别通过设于第一导电孔和第二导电孔中的导电金属电极分别电性连接第一电极区和第二电极区。
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