[发明专利]晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201410836443.4 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105789123A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈彬;阎实 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种晶圆切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括正面以及与所述正面相对应的背面，所述背面上形成有金属层；在所述金属层上形成一粘力释放层；在所述粘力释放层上贴附一胶膜；从所述正面对所述晶圆进行切割；揭掉所述胶膜；以及去除所述粘力释放层，所述晶圆形成多个分离的芯片。当揭掉所述胶膜时，所述胶膜的粘力仅作用于所述粘力释放层，而不会直接作用于所述金属层，从而所述粘力释放层亦可以释放所述胶膜的粘力，避免在揭掉所述胶膜的过程中扯掉所述金属层，提高工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括正面以及与所述正面相对应的背面，所述背面上形成有金属层；在所述金属层上形成一粘力释放层；在所述粘力释放层上贴附一胶膜；从所述正面对所述晶圆进行切割；揭掉所述胶膜；以及去除所述粘力释放层，所述晶圆形成多个分离的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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