[发明专利]一种IGBT器件的制备方法

摘要

为克服现有技术中IGBT器件的制备工艺成本高的问题，本发明提供了一种IGBT器件的制备方法。本发明提供的IGBT器件的制备方法将高压终端区和有源区同时制作完成，优化了工艺过程，省去光刻步骤，降低了生产成本。

主权项

一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供前体，所述前体包括依次层叠的衬底、缓冲层、第一N型半导体层、第二外延半导体层；在所述前体的第二外延半导体层上刻蚀形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第二外延半导体层并延伸至第一N型半导体层内；S2、在所述前体表面生长场氧化膜，所述场氧化膜覆盖所述第二外延半导体层及第一沟槽；S3、腐蚀所述场氧化膜，形成有源区和高压终端区；S4、向所述第二外延半导体层注入P型掺杂，并激活，形成P型体区；S5、在所述P型体区表面刻蚀形成第二沟槽；S6、在所述第一沟槽和第二沟槽内填充多晶硅，形成栅极电极；S7、在所述P型体区通过离子注入形成N+源区，所述N+源区位于所述第二沟槽处；S8、在所述第二外延半导体层上生长层间膜，并刻蚀形成接触孔；S9、在所述层间膜上生长金属层，并刻蚀；S10、在所述金属层上生长钝化层，并刻蚀；S11、除去所述衬底，露出所述缓冲层；S12、向缓冲层注入P型杂质并激活；S13、在缓冲层表面生长金属，形成集电极。