[发明专利]一种LED芯片寿命快速估算方法有效
申请号: | 201410698501.1 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104391237A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 胡云峰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学中山学院 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林新中 |
地址: | 528400 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种LED芯片寿命快速估算方法,其包括有选两个样品、老化前初始反向电流的测量、高温下加快光通量衰减来进行老化测试、老化后反向电流的测量、和寿命的公式估算这几个步骤,这样通过施加反向电压来测得样品在光衰减前后的反向电流,再利用计算公式就可快速估算出LED芯片的寿命,从而缩短产品研发周期,为改善LED芯片寿命提供了更有力的保障,并能有效缩短LED芯片寿命估算时间,减小试验成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 寿命 快速 估算 方法 | ||
【主权项】:
一种LED芯片寿命快速估算方法,其特征在于,包括以下步骤:A、选样品对同一批次的LED芯片随机选取样品2个,分别编号为1号样品、2号样品,在300K温度环境中,给1号样品加额定工作电流,测量得到初始光通量Φ0;B、老化前的测量给1号样品分别加恒定反向电压V0,测量得到初始反向电流I0;C、老化测试将1号样品放入第1个测试箱,2号样品放入第2个测试箱,第1个和第2个测试箱分别设定测试温度为T1和T2,其中300K≤T1<T2,第1个和第2个测试箱分别设定测试电流为额定电流,开始老化测试,选定测试箱温度较高的那个样品来测光通量,当其光通量衰减为初始光通量的70%时,这两个样品都停止老化,记录老化时间t1; D、老化后测量从2个测试箱取出测试样品,给样品分别加恒定反向电压V0,1号样品测量得到反向电流I1,2号样品测量得到反向电流I2;E、寿命估算将三组条件:1、T=300K,t=0,I=I0,2、T= T1,t= t1,I=I1,3、T= T2,t= t1,I=I2分别代入如下寿命估算公式
得到方程组
解方程组得到
将条件T=300K,I=I2代入寿命估算公式
解得LED芯片寿命时间为
。
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