[发明专利]利用高压场效应晶体管子电路模型描述自热效应的方法有效
| 申请号： | 201410668047.5 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104331580B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种利用高压场效应晶体管子电路模型描述自热效应的方法。建立高压场效应晶体管子电路模型，所述高压场效应晶体管子电路模型包括第一LDMOS管、第二LDMOS管、热电阻、电压控制电压源以及电流控制电流源；第一LDMOS管和第二LDMOS管的栅极都连接外部栅极电压，第一LDMOS管MOS1的漏端连接外部漏极电压，第二LDMOS管的漏端连接电压控制电压源，热电阻的一端连接至电流控制电流源，热电阻的另一端连接至第一LDMOS管的源极和第二LDMOS管的源极，使得流过第二LDMOS管的电流为电流控制电流源的输出电流。利用仿真工具将第二LDMOS管的仿真得到的功耗发热对第一LDMOS管进行温度补偿反馈，通过拟合热电阻的电阻数值对自热效应下的漏极电流电压曲线进行拟合，获得对LDMOS自热效应的描述。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 高压 场效应 晶体 管子 电路 模型 描述 热效应 方法 | ||
【主权项】：
一种利用高压场效应晶体管子电路模型描述自热效应的方法，其特征在于包括：建立高压场效应晶体管子电路模型，所述高压场效应晶体管子电路模型包括第一LDMOS管、第二LDMOS管、热电阻、电压控制电压源以及电流控制电流源；其中，第一LDMOS管和第二LDMOS管的栅极都连接外部栅极电压，第一LDMOS管MOS1的漏端连接外部漏极电压，第二LDMOS管的漏端连接电压控制电压源，热电阻的一端连接至电流控制电流源，热电阻的另一端连接至第一LDMOS管的源极和第二LDMOS管的源极，而且使得流过第二LDMOS管的电流为电流控制电流源的输出电流。
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