[发明专利]一种大尺寸稀土正铁氧体单晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410657966.2 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN105671636A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 王博;赵向阳;武安华;徐军 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B29/24 分类号: C30B29/24;C30B11/00
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种大尺寸稀土正铁氧体单晶的制备方法,所述大尺寸稀土正铁氧体单晶的化学式为RFeO3,其中,R、M为稀土元素和铱中的至少一种元素,所述方法包括:1)称取稀土氧化物粉体和氧化铁粉体,均匀混合后在1100‑1200℃下烧结,再研磨得到混合粉体;2)将步骤1)制备的混合粉体,在坩埚下降炉中第一次生长;3)将步骤2)中第一次生长所得的晶体,在浮区生长炉中进行第二次生长,得到所述大尺寸稀土正铁氧体单晶。
搜索关键词: 一种 尺寸 稀土 铁氧体 制备 方法
【主权项】:
1.一种稀土正铁氧体单晶的制备方法,其特征在于,所述稀土正铁氧体单晶的化学式为RFeO3,其中,R为稀土元素和铱中的至少一种元素,所述方法包括:1)按所述稀土正铁氧体单晶中组成元素的摩尔比,称取稀土氧化物粉体和氧化铁粉体,均匀混合后在1100-1200℃下烧结,再研磨得到混合粉体;2)将步骤1)制备的混合粉体,在坩埚下降炉中第一次生长;第一次生长的参数包括:混合粉体置于直径Φ15—30mm的铂金坩埚中,密封坩埚,生长气氛包括空气气氛或氧气气氛,下降炉升温至1650—1750℃,保温3-5小时,下降速度为10—20mm/天;3)将步骤2)中第一次生长所得的晶体,在浮区生长炉中进行第二次生长,得到所述稀土正铁氧体单晶;第二次生长的参数包括:生长气氛包括空气气氛或氧气气氛,流量1-1.5L/分钟,生长速度为0.5-1mm/小时,晶体旋转速度为5-15rpm,籽晶棒旋转速度为5-15rpm,生长界面温度梯度为100-200℃/cm。
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