[发明专利]一种使用肖特基二极管的温度传感器芯片版图结构有效
申请号: | 201410657279.0 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN104485331A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京七芯中创科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100029 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种使用肖特基二极管的温度传感芯片版图结构,属于集成电路设计技术。所述传感器芯片由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区和第6版图区组成;第1版图区与其他所有版图区相连,第2版图区与第1、3、5版图区相连,第3版图区与第1、2、5、6版图区相连,第4版图区与第1、5、6版图区相连,第5版图区与其他所有版图区相连,第6版图区与第1、3、4、5版图区相连。本发明使传感器芯片各个版图区位置固定,优化了温度补偿芯片版图设计,减少了数字噪声对温度检测和其他模拟电路的干扰;采用了肖基特二极管作为供电,在版图上置于芯片边缘,减少了信号线上高电平电压与内部电源电压的压差,减少了寄生阻抗。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 肖特基 二极管 温度传感器 芯片 版图 结构 | ||
【主权项】:
一种使用肖特基二极管的温度传感器芯片版图结构,其特征在于,所述传感器芯片由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区和第6版图区组成;第1版图区与其他所有版图区相连,第2版图区与第1、3、5版图区相连,第3版图区与第1、2、5、6版图区相连,第4版图区与第1、5、6版图区相连,第5版图区与其他所有版图区相连,第6版图区与第1、3、4、5版图区相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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