[发明专利]测试针头和半导体测试治具的形成方法有效
| 申请号： | 201410606939.2 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104407183B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/073 | 分类号： | G01R1/073;G01R3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 226006 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种测试针头和半导体测试治具的形成方法，其中所述测试针头形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针。本发明方法形成的测试针头的机械强度增强，在进行电学性能测试时，提高了测试的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 针头 半导体 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试针头的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一测试针；在第一测试针的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第二测试针，所述第二测试针环绕所述第一测试针；其中，所述测试针头通过半导体集成工艺制作，包括方案a、方案b和方案c：方案a，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：在所述基底上形成第一金属层；刻蚀所述第一金属层形成第一测试针；形成覆盖所述第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；方案b，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：在所述基底上形成牺牲层，所述牺牲层中具有暴露出基底表面的通孔；在所述通孔中填充满第一金属层，形成第一测试针；去除所述牺牲层；形成覆盖所述第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；方案c，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：在所述基底上形成介质层，所述介质层中形成有第一通孔和环绕所述第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充第二金属形成第二测试针；去除第二测试针外侧的介质层，第一测试针和第二测试针之间的介质层作为绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富微电子股份有限公司，未经通富微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410606939.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于三角函数迭代的信号相量测量的方法
- 下一篇：一种PCBA板测试治具
