[发明专利]一种高压晶闸管芯片的硼扩散方法有效
| 申请号： | 201410604940.1 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104392911A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王大江;王森彪;徐艳艳;李建忠 | 申请（专利权）人： | 宁波芯科电力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/332 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 周珏 |
| 地址： | 315400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶闸管芯片的硼扩散方法，包括以下步骤：①将多个高压晶闸管芯片按间距为2~3mm等距离放置于氧化炉内，在1200~1300℃下氧化2~10小时使得各芯片的阳极面和阴极面上分别生成一层厚度大于1.5微米的氧化层后取出；②对各芯片进行光刻去掉芯片的阳极面上的氧化层及短路点表面的氧化层，保留N+磷扩散区扩磷层表面的氧化层；③将步骤②后的芯片按间距为0.5~1mm等距离放置于扩硼炉内，并在各芯片的阳极面上涂上厚度为0.8~1.5微米的硼源，在1200~1300℃下进行硼扩散1~4小时后取出；降低压降、提高开通速度，提升电流上升率、电压上升率并减少漏电流，同时增加单次扩散的芯片数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶闸管 芯片 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种高压晶闸管芯片的硼扩散方法，其特征在于包括以下步骤：①将多个高压晶闸管芯片按间距为2~3mm等距离放置于氧化炉内，在1200~1300℃下氧化2~10小时使得各高压晶闸管芯片的阳极面和阴极面上分别生成一层厚度大于1.5微米的氧化层后取出；②对高压晶闸管芯片进行光刻，光刻去掉高压晶闸管芯片的阳极面上的氧化层及阴极面上短路点表面的氧化层，保留阴极面上N+磷扩散区表面的氧化层；③将去掉部分氧化层后的高压晶闸管芯片按间距为0.5~1mm等距离放置于扩硼炉内，并在各高压晶闸管芯片的阳极面上涂上厚度为0.8~1.5微米的硼源，在1200~1300℃下进行硼扩散1~4小时后取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
