[发明专利]控制单元晶体管的接口状态提高感测界限的电阻存储装置有效
| 申请号： | 201410586479.1 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104681090B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李宰圭;金大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种控制单元晶体管的接口状态提高感测界限的电阻存储装置。存储系统可包括：存储装置，具有电连接到多条位线和多条字线的非易失性存储单元的阵列。所述非易失性存储单元可包括与相应单元晶体管电串联连接的各个非易失性电阻装置。还提供可连接到所述存储装置的控制器。所述控制器可被配置为在将数据写入到所述存储装置中的操作期间利用支持(i)非易失性电阻装置和(ii)单元晶体管内的接口状态的双编程的信号来驱动所述存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储装置 接口状态 非易失性存储单元 非易失性电阻装置 单元晶体管 控制器 晶体管 电阻 感测 操作期间 存储系统 电串联 电连接 可连接 位线 字线 编程 写入 驱动 配置 | ||
【主权项】：
1.一种存储系统，包括：存储装置，具有电连接到多条位线和多条字线的非易失性存储单元的阵列，所述非易失性存储单元包括与相应单元晶体管电串联连接的各个非易失性电阻装置；控制器，连接到所述存储装置，所述控制器被配置为在将数据写入到所述存储装置中的操作期间利用支持对单元晶体管内的接口状态进行编程和对非易失性电阻装置进行编程的双编程的信号来驱动所述存储装置。
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