[发明专利]衬底处理设备有效
申请号: | 201410563526.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576450B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 金戊一;金泰俊;金圣进;金钟元 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供能够去除衬底处理空间内的颗粒的衬底处理设备。衬底处理设备包含:具有衬底处理空间的腔壳,所述衬底处理空间由底壁、上壁,以及将底壁连接到上壁的侧壁界定;经配置以在衬底处理空间内在第一轴向方向以及与第一轴向方向交叉的第二轴向方向上移动的衬底平台;以及分别沿着腔壳的两个侧壁安置的侧壁排气单元,所述侧壁排气单元经配置以将通过衬底平台的移动在衬底平台与侧壁之间产生的气流引导到外部。 | ||
搜索关键词: | 衬底处理 侧壁 衬底处理设备 衬底平台 排气单元 第一轴 底壁 腔壳 上壁 侧壁界定 方向交叉 气流引导 第二轴 上移动 配置 去除 安置 外部 移动 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理设备,其特征在于包括:腔壳,具有衬底处理空间,所述腔壳由底壁、上壁,以及将所述底壁连接到所述上壁的侧壁界定;衬底平台,经配置以在所述衬底处理空间内在第一轴向方向以及与所述第一轴向方向交叉的第二轴向方向上移动;电缆导管,配置在所述衬底平台之下以保护供应电流到衬底平台的电缆;侧壁排气单元,分别沿着所述腔壳的所述侧壁安置,所述侧壁排气单元经配置以将由所述衬底平台的移动在所述衬底平台与所述侧壁之间产生的气流引导到外部;下部阻断本体,耦合到所述电缆导管,所述下部阻断本体经配置以阻断被引入到衬底的下侧的气流,以反射所述气流朝向所述侧壁排气单元,其中所述侧壁排气单元中的每一个包括:侧壁排气本体,分别沿着所述腔壳的所述侧壁安置,所述侧壁排气本体中的每一个经配置以吸入平行于所述腔壳的所述底壁流动的气体以将吸入的所述气体排出到所述外部;侧壁排气板,经配置以将所述衬底处理空间内的所述气流的方向改变成平行于所述腔壳的所述底壁的方向,所述侧壁排气板包括:侧壁排气单元上部板,连接到所述侧壁排气本体的上部末端表面且朝向所述腔壳的所述衬底处理空间突出;侧壁排气扩展上部板,所述侧壁排气扩展上部板能够通过从所述侧壁排气单元上部板朝向所述腔壳的所述衬底处理空间向前或向后滑动扩展的,以能够根据所述衬底平台的大小来调整突出长度;以及喷嘴,安置在所述腔壳的所述上壁上以将气体喷射到所述衬底处理空间的下侧中,所述喷嘴在所述第二轴向方向上纵向地安置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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