[发明专利]一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED有效
| 申请号： | 201410538801.3 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104300058B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林鸿亮;李全素;徐培强;杨凯;张双翔;张银桥;王向武;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED，属于光电子技术领域，包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、掺杂宽势垒结构层、非掺杂超晶格第二有源层、第二限制层、GaP窗口层，在GaP窗口层上设置有第一电极，在GaAs衬底的另一面设置有第二电极。本发明可提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，提升2%～4%芯片合格率，因此，本发明能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率及高产出良率的黄绿光波段的LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 宽势垒 结构 黄绿 led | ||
【主权项】：
一种掺杂宽势垒结构的黄绿光LED，包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、第二限制层、GaP窗口层，在GaP窗口层上设置有第一电极，在GaAs衬底的另一面设置有第二电极；其特征在于：在非掺杂超晶格第一有源层和第二限制层之间生长掺杂宽势垒结构层和非掺杂超晶格第二有源层；所述掺杂宽势垒结构层为AlYGa(1‑Y)InP掺杂宽势垒层，其中，0.5<Y<1，掺杂元素为Zn或Mg，掺杂浓度为1E16‑1E17；非掺杂超晶格第一有源层、非掺杂超晶格第二有源层分别为AlXGa(1‑X)InP/AlYGa(1‑Y)InP有源层，0.3≤X≤0.35，0.6≤Y≤0.7，周期厚度为1 nm～15nm，周期对数为2‑120对；非掺杂超晶格第一有源层、非掺杂超晶格第二有源层的主发光波长为570±10nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410538801.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
