[发明专利]非易失存储器装置以及用于非易失存储器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201410534212.8 申请日: 2014-10-11
公开(公告)号: CN104810052B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 尼尔·塔莎;瓦勒利·特波;郑展为;波尔兹·塔巴克尼克 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G06F21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种非易失存储器装置以及用于非易失存储器装置的方法。其中,NVM装置包括NVM阵列以及控制逻辑。NVM阵列用来储存数据。控制逻辑接收储存于NVM装置的多个数据数值,且将接收到的该些数据数值中至少一些数据数值写入至NVM阵列,且同时地写入至少一些数据数值的多个互补数值。
搜索关键词: 非易失存储器 控制逻辑 写入 储存数据 储存
【主权项】:
1.一种非易失存储器装置,其特征在于,包括:一NVM阵列,储存数据;以及控制逻辑,接收储存于所述非易失存储器装置的多个数据数值,且将接收到的所述数据数值中至少一些数据数值写入至所述NVM阵列,且同时地将所述至少一些数据数值的多个互补数值写入至一电流槽。
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