[发明专利]一种高可靠性的红光半导体激光器有效
| 申请号： | 201410486690.6 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104269741A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 朱振;李沛旭;张新;蒋锴;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高可靠性的红光半导体激光器，发射波长为630-690nm，其结构从下至上依次为衬底、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层。在传统半导体激光器结构基础上对波导层进行掺杂，使有源区同PN结分离，PN结的强电场会吸引有源区的可移动缺陷，从而使激光器的可靠性得到改善。同时上波导层的掺杂原子可以阻止上限制层的高掺杂浓度原子向有源区的扩散，降低了激光器连续工作时的功率衰减。由于对波导层进行了掺杂，使得激光器的串联电阻减小，提高了转换效率，降低了焦耳热的产生，进一步提高了红光激光器长期工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 红光 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种高可靠性的红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其特征是：对波导层进行掺杂，使掺杂原子阻止上限制层的掺杂原子向量子阱有源区扩散，降低激光器连续工作时的功率衰减，同时PN结界面从有源区移至上波导层及上限制层界面处，PN结的强电场会吸引量子阱有源区的可移动缺陷，从而提高激光器的可靠性。
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