[发明专利]超紫外线光刻投影光学系统和相关方法有效
| 申请号： | 201410449045.7 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104914678B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 游信胜;卢彦丞;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超紫外线光刻系统。该超紫外线光刻系统包括将掩模的图案成像到晶圆上的投影光学系统。该投影光学系统包括两个到五个平面镜。该两个到五个平面镜设计并配置为具有小于约0.50的数值孔径，晶圆上的图像域尺寸大于或等于约20mm，并且具有包括中心遮拦的光瞳平面。在实例中，中心遮拦具有的半径小于或等于光瞳平面的半径的50％。在实例中，中心遮拦具有的面积小于或等于光瞳平面的面积的25％。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 光刻 投影 光学系统 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种超紫外线(EUV)光刻系统包括：具有掩模的掩模模块；投影光学系统，包括配置和设计为将掩模的图案成像到晶圆上的少于六个的平面镜，所述掩模将光的部分从所述掩模反射到所述投影光学系统，并且所述投影光学系统还配置和设计为实现：数值孔径小于约0.50；成像到所述晶圆上的辐射的图像域尺寸大于或等于约20mm；以及光瞳平面包括中心遮拦；所述掩模包括吸收入射到其上的光的吸收区和反射入射到其上的光的反射区，吸收区配置为反射入射到其上的光，这些光具有不同于由所述反射区所反射的光的相位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410449045.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带储能功能的自维持时钟模块
- 下一篇：网板曝光机监控系统
