[发明专利]微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法

摘要

本发明是有关于一种微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法，其中该微电子装置的制造方法，其先在基底的CMOS电路区内形成半导体元件，接着在基底上形成多层金属层、多个接触窗、多层氧化层与第一保护层，其中第一保护层位于至少一层氧化层上，且这些金属层与氧化层交错层叠，而接触窗形成于氧化层内，并连接至对应的金属层，以于基底的微机电区上构成微机电结构，并于CMOS电路区上构成内连线结构。然后，在内连线结构上形成第二保护层。之后，移除微机电区上的部分氧化层，以使微机电结构部份地悬于基底上方。由于CMOS电路与微机电元件可整合至同一工艺中完成，因此可降低微电子装置的生产成本。另外，本发明还提供一种微电子装置与微机电封装结构及其封装方法。

主权项

一种微电子装置，其特征在于其包括：一基底，具有一CMOS电路区与一微机电区，其中该CMOS电路区与该微机电区是位于该基底的相同水平上；至少一半导体元件，配置于该基底的该CMOS电路区内；一抗金属离子层，配置于该基底的该CMOS电路区上而覆盖该半导体元件；一非掺杂氧化层，配置于该基底的该微机电区上；以及一微机电结构，部分地悬于该非掺杂氧化层上方，所述微机电结构包括位于该微机电区上的多层金属层、位于该微机电区上的多个接触窗及位于该微机电区上的多层氧化层，其中该些金属层与该些氧化层交错层叠，而该些接触窗位于该些氧化层内，该CMOS电路区与该微机电区至少共享部分相同的金属层。