[发明专利]电子部件及方法有效
| 申请号： | 201410389672.6 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104347618B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;K·希斯;O·黑伯伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子部件包括高压耗尽型晶体管、邻近高压耗尽型晶体管布置且与所述高压耗尽型晶体管隔开的低压增强型晶体管，以及导电构件，该导电构件将高压耗尽型晶体管的第一电流电极电耦合到低压增强型晶体管的第一电流电极。导电构件具有片状形式。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 方法 | ||
【主权项】：
一种电子部件，包括：高压耗尽型晶体管；低压增强型晶体管，被布置为邻近所述高压耗尽型晶体管并且与其隔开；和导电构件，将所述高压耗尽型晶体管的第一电流电极电耦合到所述低压增强型晶体管的第一电流电极，所述导电构件具有片状形式，其中所述高压耗尽型晶体管包括第一侧，所述第一侧包括所述高压耗尽型晶体管的第一电流电极、第二电流电极和控制电极；其中所述低压增强型晶体管包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一侧包括第二电流电极和控制电极，所述第二侧包括所述低压增强型晶体管的第一电流电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
