[发明专利]用于减少硅损耗的方法有效
| 申请号： | 201410373544.2 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105336701B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张冬梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少硅损耗的方法和通过该方法制造的产品。通过该方法，可修复在刻蚀过程中对有源区和多晶硅层造成的损伤，并且可使得有源区和多晶硅层中的硅不会被过多消耗。该方法包括：在衬底上形成有源区；在有源区上依次形成衬垫氧化物层、多晶硅层和氮化硅层；在有源区和多晶硅层中形成沟槽；对所述衬底进行氮气退火；沟槽表面上形成氧化物内衬；以及填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 损耗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上形成有源区；在有源区上依次形成衬垫氧化物层、多晶硅层和氮化硅层；在有源区和多晶硅层中形成沟槽；对所述衬底进行氮气退火；沟槽表面上形成氧化物内衬；以及填充沟槽，其中，通过对所述衬底进行氮气退火，在沟槽表面上形成氮化物，并且所述氮化物用于控制所形成的氧化物内衬的厚度，从而减少有源区和多晶硅层中的硅损耗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
