[发明专利]低电压达林顿放大器

摘要

本发明公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极性转换单元。本发明电路将达林顿放大单元的交流与直流地分离，并将交流地钳位到地；本发明电路将达林顿放大器的直流参考地钳位到负的参考电平上，提高了电源电压到直流参考地之间的电势差。传统达林顿放大器电源电压一般大于5～7V，本发明的低电压达林顿放大器电源电压可低至3～4V。本发明广泛应用于微波单片IC中的各类达林顿结构电路中。

主权项

一种低电压达林顿放大器，其特征在于，它含有：一个基本达林顿放大单元，包括三极管Q_1b、三极管Q_2b，电阻R_1b、电阻R_2b、电阻R_3b，其中，Q_1b的发射极与Q_2b的基极相连，Q_1b的集电极与Q_2b的集电极相连，并与输出端V_out连接，Q_1b的基极与输入端V_in连接，R_1b的一端接Q_1b的基极，R_1b的另一端接输出端V_out，R_2b的一端接Q_1b的基极，R_3b的一端与Q_1b的发射极相连，R_4b的一端与Q_2b的发射极相连，R_2b的另一端与R_3b的另一端、电阻R_4b的另一端连接在一起，连接点为A；和一个交直流分离单元，包括电容C_1b，其中，C_1b的一端与连接点A相连，C_1b的另一端接地；和一个电源电压极性转换单元，包括MOS管M_1b、MOS管M_2b、MOS管M_3b、MOS管M_4b，反相器INV、振荡器OSC、电容C_2b、电容C_3b，其中，OSC的输出端V_OSCout与M_1b的栅极、M_3b的栅极、M_4b的栅极、INV的输入端V_INVin连接在一起，INV的输出端V_INVout与M_2b的栅极连接在一起，M_4b的漏极接电源V_CC，M_4b的源极与M_3b的漏极、C_3b的一端连接在一起，连接点为B，M_2b的源极与M_1b的漏极、C_3b的另一端连接在一起，连接点为C，M_1b的源极与C_2b的一端相连，连接点为A，M_2b的漏极接地，M_3b的源极和电容C_2b的另一端连接在一起，并接地。