[发明专利]一种具有测试图形的晶圆切割方法

摘要

本发明公开了一种具有测试图形的晶圆切割方法，通过将铜互连的测试结构电路及在线监控图案不再放入划片槽区域或者划片槽被切割区域不放置测试结构电路及在线监控图案，从而彻底的避免了激光切割过程中因铜的延展性、铜与氧化硅、氮化硅绝缘层的热应力系数差异较大的问题，而产生的芯片崩缺、应力分层现象，同时可获得高比例的、额外的芯片。在铜互连完成后的工艺中，将划片槽区域的氮化硅薄膜层去除，从而可以获得划片槽区域的剖面图从上往下看仅有氧化硅及衬底的硅，在有效提高激光扫描过程中划片槽区域微型裂纹的有效出现的同时，还能提高切割效率、切割后芯片的良率及封装成品率。

主权项

一种具有测试图形的晶圆切割方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一待切割晶圆，在所述待切割晶圆上设置若干芯片区域以及测试组件，并于相邻的所述芯片区域之间设置划片槽区域；其中，所述划片槽区域内包括有一切割区域，所述测试组件设置在所述芯片区域中，或者该测试组件设置于所述划片槽区域中除所述切割区域以外的区域中；步骤S2：沿着所述切割区域进行切割，以将每个所述芯片区域分离，并通过所述测试组件对所述芯片区域进行测试。