[发明专利]一种电控光阀被动式发光器件及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410345527.8 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104143532B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;王磊;兰林锋;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电控光阀被动式发光器件的制备工艺，包括以下步骤(1)在玻璃衬底上沉积碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜并图形化形成电控光阀层；(2)在电控光阀层上沉积绝缘膜层并图形化使部分电控光阀层露出；(3)在所述绝缘膜层上沉积TFT管，所述TFT管的源漏电极与步骤(2)中露出的电控光阀层连接；(4)在所述TFT管上沉积透明绝缘填充层，使透明绝缘填充层覆盖于所述TFT管及TFT管未覆盖的绝缘膜层上方；(5)在所述透明绝缘填充层上沉积透明公用电极；(6)在透明公用电极上制备背光模组。本发明还公开了一种电控光阀被动式发光器件。本发明具有结构简单、性能优良、制备方便的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电控光阀 被动式 发光 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，通过如下步骤制备而成：(1)预先将碳纳米管或者石墨烯混合于固体电解质中形成基料，将基料沉积于玻璃衬底上形成碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜并进行图形化，形成电控光阀层；(2)在电控光阀层上沉积绝缘膜层，并对所述绝缘膜层进行图形化使部分电控光阀层露出；(3)在所述绝缘膜层上沉积TFT管，所述TFT管的源漏电极与步骤(2)中露出的电控光阀层连接；(4)在所述TFT管上沉积透明绝缘填充层，使透明绝缘填充层覆盖于所述TFT管及TFT管未覆盖的绝缘膜层上方；(5)在所述透明绝缘填充层上沉积透明公用电极；(6)在透明公用电极上制备背光模组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
