[发明专利]高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器

摘要

本发明公开了一种高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器，首先在清洗好的基底上采用溶胶-凝胶法沉积BMN薄膜，再在BMN薄膜上采用光刻技术结合磁控溅射工艺制备插指电极，再在制备有插指电极的BMN薄膜上沉积BST薄膜，制得埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜；再将该双层薄膜在于50-750℃退火，并通过刻蚀法将插指电极引脚露出，制得BMN/BST双层薄膜电容器。本发明通过BST与BMN薄膜复合从而降低了薄膜介电损耗，提升了薄膜的综合性能，采用埋入式插指电极结构，提高了器件的调谐率。

主权项

一种高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器，包括基底，其特征在于，所述基底(1)的上面依次设置有铌酸铋镁介质层(2)、插指电极(3)和钛酸锶钡介质层(4)；该高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器的制备方法，其步骤如下：(1)清洗基底采用去离子水超声清洗10min、丙酮超声清洗10min、酒精超声清洗10min、再去离子水超声清洗10min的工艺过程对基底进行清洗，清洗后迅速将基底吹干；(2)制备BMN即铌酸铋镁介质薄膜层在步骤(1)清洗好的基底上采用溶胶‑凝胶法沉积一层铌酸铋镁介质薄膜；铌酸铋镁介质薄膜的厚度为200nm；(3)制备插指电极在步骤(2)所制备的铌酸铋镁介质薄膜上采用光刻技术结合磁控溅射工艺制备插指电极，插指电极采用Au/Ti结构，其中Ti作为缓冲层，电极厚度为200nm；(4)制备BST即钛酸锶钡介质薄膜层在步骤(3)制备有插指电极的铌酸铋镁薄膜上采用溶胶‑凝胶法沉积一层钛酸锶钡介质薄膜，将插指电极埋入钛酸锶钡介质薄膜中，制得埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜；钛酸锶钡介质薄膜的厚度为300nm；(5)将步骤(4)制备好的埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜在550‑750℃下退火，使介质薄膜层结晶；(6)通过刻蚀法将步骤(5)的插指电极引脚露出，制得高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器。