[发明专利]一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路

摘要

本发明公开了一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路，该电路为差分对称结构，包括了输入级(M1)、级联级(M2)、畸变消除级(M1a)，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级连接在级联级，为工作在弱反型区的PMOS晶体管。本发明的优点在于可以显著提高LNA的线性度，并同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声性能。

主权项

一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路，该电路为差分对称结构，包括了输入级(M1)、级联级(M2)、畸变消除级(M1a)，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，其特征在于：畸变消除级连接在级联级，为工作在弱反型区的PMOS晶体管；所述输入级包括左右NMOS管对M1，级联级包括左右PMOS管对M2以及左右电感对Ladd，电感Ld和电容Cd为低噪放负载；其中，左NMOS管M1的漏极通过结点X连接于左PMOS管M2的源极；其右NMOS管M1的漏极连接于右PMOS管M2的源极；同时，左NMOS管M1的源极为输入信号的正端+Vin，右NMOS管M1的源极为输入信号的负端‑Vin，左右NMOS管对M1的源极节点分别连接到地，偏置电压Vb1经偏置电阻与左右NMOS管对M1的栅极相连，依次串联的信号源Vs和信号源内阻2Rs，分别通过左右隔直电容，串接于左右NMOS管对M1的源极；级联级的左PMOS管M2的栅极通过左电感Ladd连接到电源VDD、右PMOS管M2的栅极通过右电感Ladd连接到电源VDD、左右PMOS管对M2的漏极均通过并联谐振的电感Ld和电容Cd连接到电源VDD。