[发明专利]一种FinFET及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410260429.4 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105244276B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 曾以志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍片；在鳍片的两侧和顶部形成包括依次层叠的牺牲栅极介电层和牺牲栅极材料层的伪栅极结构；沉积层间介电层，以覆盖伪栅极结构、鳍片和半导体衬底；研磨层间介电层，直至露出伪栅极结构的顶部；去除伪栅极结构中的牺牲栅极材料层；联合实施干法蚀刻、表面处理和湿法蚀刻去除伪栅极结构中的牺牲栅极介电层。根据本发明，可以有效增强对牺牲栅极介电层的去除的控制精度，避免鳍片表面的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片；在所述鳍片的两侧和顶部形成包括依次层叠的牺牲栅极介电层和牺牲栅极材料层的伪栅极结构；沉积层间介电层，以覆盖所述伪栅极结构、所述鳍片和所述半导体衬底；研磨层间介电层，直至露出所述伪栅极结构的顶部；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅极材料层；联合实施干法蚀刻、表面处理和湿法蚀刻去除所述伪栅极结构中的牺牲栅极介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
