[发明专利]一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器有效
| 申请号： | 201410258303.3 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104091851A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 纪小丽;朱颖杰;闫锋;廖轶明 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/119 | 分类号： | H01L31/119;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈琛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet 结构 赫兹 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器，其特征在于：包括环栅MOSFET结构，所述环栅MOSFET结构包括一个在中心位置的源极、环绕着源极的弯曲的栅极以及在栅极外围的漏极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
