[发明专利]一种晶圆硅通孔结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410232738.0 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104143544A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李宝霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆硅通孔 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆硅通孔结构，其特征在于，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔钝化层为通孔壁，用于填孔金属与硅衬底的绝隔绝；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，在所述通孔钝化层外围设置空腔。
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