[发明专利]去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法在审
| 申请号： | 201410217630.4 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104051238A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法，其包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀半导体器件衬底；去除光刻胶；采用有机药液和水对半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对半导体器件衬底进行第二清洗过程。通过采用有机药液和低浓度氢氟酸相结合的清洗方式，即经现有的清洗过程之后，再增加一道采用低浓度氢氟酸的清洗过程，从而有效地去除了刻蚀工艺后半导体器件衬底上的聚合物残留，避免了后续工艺中聚合物覆盖在半导体器件衬底表面而形成的金属层大面积缺失的现象，提高了工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 大马士革 工艺 聚合物 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀工艺的清洗方法，其特征在于，包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀所述半导体器件衬底；去除所述光刻胶；采用有机药液和水对所述半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对所述半导体器件衬底进行第二清洗过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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