[发明专利]高效宽温半导体阵列泵浦腔内倍频固体激光器有效
申请号: | 201410206244.5 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN103956641B | 公开(公告)日: | 2016-09-21 |
发明(设计)人: | 梁万国;邹小林;周煌;冯新凯;缪龙;宋国才;陈怀熹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01S3/08 | 分类号: | H01S3/08;H01S3/136;H01S3/0941;H01S3/06 |
代理公司: | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人: | 徐开翟;林朝熙 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种可宽温使用的半导体阵列泵浦腔内倍频全固态激光器设计。它包括通过在两块相同的非线性晶体中插入一块对基频光和倍频光有明显色散的光学晶体分束基频光和倍频光,或在激光晶体和非线性晶体加入倍频光波片这两种方式,改变返向基频光通过非线性晶体产生的倍频光的偏振态,避免由激光晶体反射回来的倍频光继续参与非线性晶体内的非线性耦合波转化。通过上述方法可以实现高效宽温半导体泵浦腔内倍频固体激光器。 | ||
搜索关键词: | 高效 半导体 阵列 泵浦腔内 倍频 固体激光器 | ||
【主权项】:
高效宽温半导体阵列泵浦腔内倍频固体激光器,其特征在于:所述激光器包括依次设置的LD阵列泵浦源、激光晶体、第一块非线性晶体、色散晶体以及第二块非线性晶体,二块非线性晶体由一块晶体从中斜切割而成,中间色散晶体通光面斜度等于非线性晶体斜切割方向;激光晶体、第一块非线性晶体、色散晶体、第二块非线性晶体分离或者光胶在一起;激光晶体前端镀有泵浦光增透、基频光全反膜,激光晶体后端镀有基频光增透、倍频光全反膜,第一块非线性晶体和色散晶体两边都镀有基频光、倍频光增透膜,第二块非线性晶体后端镀有基频光全反、倍频光增透膜;激光晶体与非线性晶体做成薄片或者波导结构;在两块相同的非线性晶体中插入一块对基频光和倍频光有明显色散的各向同性的色散晶体分束基频光和倍频光,避免由激光晶体反射回来的倍频光继续参与非线性晶体内的非线性耦合波转化。
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