[发明专利]一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器有效
| 申请号： | 201410205796.4 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103986063B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李洵;奚燕萍;韩林;周宁;黄卫平 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器，其横向结构即x‑y截面所示的结构为脊波导结构，由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、上包层(7)、上包层脊条部分(8)、P型电极(9)组成；其纵向结构即沿z方向所示的结构是由普通的FP腔(10)和位于该腔内的一个带通滤波单元(11)组成，该带通滤波单元设有斜槽。本发明具有结构简单、制作工艺简单和制作成本低等优点，可满足G/10GPON‑FTTH网络中ONU应用对高成品率、低成本单纵模激光器的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 滤波 结构 单纵模 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器，其特征在于其横向结构即x‑y截面所示的结构为脊波导结构，由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、上包层(7)、上包层脊条部分(8)、P型电极(9)组成；其纵向结构即沿z方向所示的结构是由普通的FP腔(10)和位于该腔内的一个带通滤波单元(11)组成，该带通滤波单元设有斜槽，该斜槽与y方向具有一定夹角θ，也即斜槽与光在所述单纵模半导体激光器内的传播方向不垂直。
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