[发明专利]增加发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层

摘要

本发明提供了一种增加发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层，生长有源层MQW步骤为：生长In_xGa_1-xN层和Al_yGaN层，其中x＝0.15-0.25，y＝0.10-0.15，In_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN周期数为5-6；然后再生长In_xGa_1-xN层和In_yGa_1-yN，其中y＝0.05-0.10，In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN的周期数为5-6。将发光层量子阱垒层由原来的InGaN/GaN超晶格材料设计为第一InGaN/AlGaN超晶格和第一InGaN/第二InGaN超晶格的组合，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率。

主权项

一种增加发光效率的LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长有源层MQW步骤为：A、在温度为700‑750℃，反应腔压力在300‑400mbar的反应室内，通入59000sccm的NH₃、120sccm的TEGa、1700sccm的TMIn，生长掺杂In的2.8‑3.5nm的In_xGa_1‑xN层，其中x＝0.15‑0.25，In的掺杂浓度1E+20‑3E+20atom/cm³；升温至800‑850℃，通入59000sccm的NH₃、420sccm的TEGa、30sccm的TMAl，生长10‑15nm的Al_yGaN层，其中y＝0.10‑0.15，Al的掺杂浓度1E+18‑2E+18atom/cm³；In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN周期数为5‑6；B、反应腔压力维持在300‑400mbar，低温700‑750℃，通入59000sccm的NH₃、120sccm的TEGa、1700sccm的TMIn，生长掺杂In的2.8‑3.5nmIn_xGa_1‑xN层，其中x＝0.15‑0.25，In的掺杂浓度1E+20‑3E+20atom/cm³；升温至800‑850℃，通入59000sccm的NH₃、420sccm的TEGa、700sccm的TMIn，生长10‑15nm的In_yGa_1‑yN，其中y＝0.05‑0.10，In的掺杂浓度1E+18‑2E+18atom/cm³；In_xGa_1‑xN/In_yGa_1‑yN的周期数为5‑6。