[发明专利]一种单晶硅倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用。具体地，本发明提供了一种单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面的制备方法，包括：在所述基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片-聚合物微球单层薄膜；在所述基片-聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层；除去所述基片-聚合物微球单层薄膜-掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；腐蚀未覆盖所述掩膜的单元为倒金字塔形压槽，在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。本发明制备倒金字塔阵列结构绒面方法工艺简单，成本低廉，克服了现有技术无法大规模生成，制备条件要求苛刻等缺点。

主权项

一种单晶硅绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片‑聚合物微球单层薄膜；(b)在所述基片‑聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层；(c)除去所述基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；(d)腐蚀未覆盖所述掩膜的单元，使其形成倒金字塔形压槽，从而在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。