[发明专利]碳化硅单晶的清洗方法无效
| 申请号： | 201410178793.6 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103949429A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张丹;赵淑贞;张飞虎;甘阳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 碳化硅单晶的清洗方法，它涉及一种单晶的清洗方法。本是为了解决现有清洗SiC的方法步骤繁琐的技术问题。本方法如下：将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。本发明的SiC单晶的清洗方法重复性好，清洗得的SiC单晶洁净度高，清洗后的SiC单晶表面只有Si、O、C三种元素，其中杂质碳含量<10％。清洗采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于单晶的清洗领域。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于碳化硅单晶的清洗方法按照以下步骤进行：一、采用表面活性剂刷洗SiC单晶3～5min，然后用去离子水冲洗SiC单晶；二、将经过步骤一处理的SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。
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