[发明专利]具有信噪比增强的晶粒隔离初始层和交换中断层的垂直记录介质在审
申请号: | 201410135751.4 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104103291A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | D·洪;S·乌;K·康;B·R·阿查亚 | 申请(专利权)人: | 西部数据传媒公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种具有信噪比增强的晶粒隔离初始层和交换中断层的垂直记录介质。本发明的各种方面涉及一种垂直磁记录(PMR)介质堆栈及其制造方法。PMR介质堆栈具有能够改善PMR介质堆栈的信噪比性能的新颖晶粒隔离初始层(GIIL)和/或新颖交换中断层(EBL)。PMR介质堆栈包括基板,在所述基板上的软垫层,安置在所述软垫层上的隔层,以及安置在所述隔层上的晶粒隔离初始层(GIIL),安置在GIIL上的磁性层,和安置在所述磁性层上的交换中断层(EBL)。GIIL和/或EBL包括CoCrRu氧化物。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 晶粒 隔离 初始 交换 断层 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】:
一种垂直磁记录介质堆栈,即PMR介质堆栈,其包括:基板;所述基板上的软垫层;安置在所述软垫层上的隔层;安置在所述隔层上的晶粒隔离初始层,即GIIL,所述GIIL包括CoCrRu氧化物;安置在所述GIIL上的磁性层;和安置在所述磁性层上的交换中断层,即EBL。
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