[发明专利]基板处理方法在审
| 申请号： | 201410134307.0 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104103496A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 石桥知淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B1/00;B08B7/04 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 梅高强;刘煜 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理方法，进行第1处理工序，该第1处理工序一边使基板旋转，一边将含有纯水的液体供给于该基板，在第1处理工序之后，进行第2处理工序，该第2处理工序一边使基板旋转，一边将液体供给于该基板。第2处理工序是在基板的表面电势的增加率比第1处理工序低的条件下进行。例如，第2处理工序以比第1处理工序中的基板的旋转速度低的旋转速度地使基板旋转而进行。采用本发明的基板处理方法，可抑制基板表面的带电。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，进行第1处理工序，在所述第1处理工序中一边使基板旋转，一边将含有纯水的液体供给于该基板，在所述第1处理工序之后，进行第2处理工序，在所述第2处理工序中一边使所述基板旋转，一边将所述液体供给于该基板，所述第2处理工序是在所述基板的表面电势的增加率比所述第1处理工序低的条件下进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
