[发明专利]一种制备耐高温黑色硼硅玻璃的方法

摘要

本发明公开了一种采用连续式多腔室磁控溅射技术制备耐高温黑色硼硅玻璃的方法。该方法是先将玻璃在镀膜前进行清洗干净，然后通过传送装置送入连续式真空镀膜机的预抽室，随后顺序进入配有大型钛铝磁控靶和硅靶的多个溅射镀膜室。镀膜室内通入氩和氮混合气体，调控反应溅射气体比例，调制磁控靶的辉光放电特性，在硼硅玻璃表面首先反应溅射沉积黑色TiAlN功能薄膜，随后进入下一个真空室反应溅射沉积SiN防护薄膜。最后进行镀膜后的退火处理进一步降低薄膜的内应力并提高膜基界面结合力。本发明提供的真空镀膜制备耐高温黑色硼硅玻璃的方法，通过复合薄膜的设计可显著提高黑色硼硅玻璃的耐高温性能，该黑色玻璃经受600℃温度而颜色不发生变化。

主权项

一种制备耐高温黑色硼硅玻璃的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：(1)对待镀膜硼硅玻璃进行清洗和风干；(2)通过传送带将所述待镀膜硼硅玻璃送至连续溅射镀膜设备中的第一预抽室，第一预抽室预抽真空；(3)待镀膜硼硅玻璃从第一预抽室通过传送带送入镀膜设备中的至少两个连续镀膜室，所述至少两个镀膜室已抽真空至真空室内的真空度小于或等于5×10‑3Pa；其中的第一镀膜室内充入氩氮混合气体，磁控靶施加电压并产生辉光放电，氩氮混合气体进行反应溅射沉积TiAlN薄膜，靶电流调控在20A‑40A之间；其中的第二镀膜室内充入氩氮混合气体，磁控靶施加电压并产生辉光放电，氩氮混合气体进行反应溅射沉积氮化硅薄膜，靶电流调控在20A‑40A之间；所述待镀膜硼硅玻璃在镀膜室内匀速行进，即待镀膜硼硅玻璃从第一预抽室至少先进入第一镀膜室，沉积TiAlN薄膜，随后进入第二镀膜室，在TiAlN薄膜表面沉积氮化硅薄膜；(4)镀膜后的硼硅玻璃通过第二预抽室，从第二预抽室离开镀膜设备；(5)从镀膜设备移出后的硼硅玻璃进行后续的低温退火处理，退火温度控制在150‑300℃，退火时间为1‑2小时。