[发明专利]一种浅沟槽填充方法

摘要

本发明公开了一种沟槽填充方法，其方法为：提供一形成有浅沟槽的半导体结构；采用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述浅沟槽中填充二氧化硅薄膜，且使所述二氧化硅薄膜的顶部处于所述半导体结构的顶部下方一定距离处；对所述沟槽中暴露的表面进行热氧化工艺，以继续生长一定厚度的二氧化硅；进行退火工艺；采用等离子体化学气相沉积工艺继续制备二氧化硅，以填充浅沟槽中的剩余部分。这样被等离子损伤的表面单晶硅会被热氧化从而修复浅沟槽顶部的损伤，而浅沟槽的顶部才是器件工作的区域，因此损伤的修复会大大提高器件可靠性。

主权项

一种浅沟槽填充方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一形成有浅沟槽的半导体结构；步骤S2、采用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述浅沟槽中填充二氧化硅薄膜，且使所述二氧化硅薄膜的顶部处于所述半导体结构的顶部下方一定距离处；其中，步骤S2是结合沉积和刻蚀两个步骤，沉积对浅沟槽进行二氧化硅的填充，刻蚀将浅沟槽顶部的“突出”消除，“突出”的消除为下一轮的沉积提供了宽阔的进气口，有利于下一轮的填充；步骤S3、对所述沟槽中暴露的表面进行热氧化工艺，以继续生长一定厚度的二氧化硅；步骤S4、进行退火工艺；步骤S5、采用等离子体化学气相沉积工艺继续制备二氧化硅，以填充浅沟槽中的剩余部分。