[发明专利]源极多晶硅的形成方法在审
| 申请号： | 201410098516.4 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839796A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 石强;李儒兴;秦海燕;李协吉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种源极多晶硅的形成方法，在研磨去除位于绝缘层表面的多晶硅后，不再进行过研磨，因此不会对位于开口边缘的侧墙造成损伤，而是直接通过刻蚀去除残留物以及其它区域凹槽内的多晶硅层，由于多晶硅和侧墙的刻蚀选择比较大，因此刻蚀不会对侧墙造成损伤，从而保证形成的器件性能良好，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 极多 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种源极多晶硅的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层设有一开口；在所述开口的内壁形成有侧墙，所述开口暴露出半导体衬底；在所述绝缘层和开口内形成多晶硅层；研磨去除位于所述绝缘层表面的多晶硅层，保留位于开口内的多晶硅层；对所述多晶硅层进行刻蚀，去除所述多晶硅层表面的残留物，形成源极多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410098516.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管的形成方法
- 下一篇：一种热泵发电系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
