[发明专利]一种铕掺杂的铁酸铋薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201410097917.8 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103938156A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 刘建;翟学珍;曹辉义;周文亮;杨平雄;褚君浩 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/28
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜,其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材,靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法,清洗衬底,将靶材和衬底置于镀膜室内,调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃;调节使溅射气压为10Pa;在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转,靶材正转;衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min,保温30min。以每分钟20℃的速度降温,至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制,原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善,光学带隙变小,提高了BiFeO3薄膜的光伏性能,具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 掺杂 铁酸铋 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种铕掺杂的铁酸铋薄膜,其特征在于,包括衬底和靶材,所述靶材沉积在所述衬底上;其中,所述衬底是以镍酸镧为缓冲层的硅衬底,所述靶材组成式为Bi1‑xEuxFeO3,0≤x≤0.07。
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