[发明专利]基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法有效
| 申请号： | 201410085381.8 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103838093A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 程依光;朱江平;胡松;赵立新;陈磊;刘俊伯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 孟卜娟;卢纪 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法。该方法以拼接光栅那作为掩模、工件台对准标记，以莫尔条纹相位信息为掩模-工件台对准偏差的载体，通过多像素点的相位提取直接计算出掩模和基片的对准偏差，从而实现掩模工件台的快速对准。降低了对工件台精度和速度指标的依赖，既保证了对准精度，又提高了对准效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 拼接 光栅 莫尔 条纹 相位 解调 纳米 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法，其特征在于包括：制作基于拼接光栅的回字形对准标记和莫尔条纹相位差快速提取算法，根据相位差计算基片和掩模的对准偏差。
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