[发明专利]改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法有效
| 申请号： | 201410080703.X | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855603A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;贾冠男;尧舜;潘飞;高祥宇;李峙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 昝美琪 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。该方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光阵列器件型激光器获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的引用。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 半导体激光器 堆栈 方向 分布 方法 | ||
【主权项】：
改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，该方法主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。
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