[发明专利]IGBT器件的散热结构在审

专利信息
申请号: 201410073570.3 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN104882421A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 吴磊 申请(专利权)人: 西安永电电气有限责任公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 710016 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种IGBT器件的散热结构,其设置于IGBT器件中,所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片,所述IGBT器件还包括底板,所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上,所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽,所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起,所述底板与所述散热结构相配合时,所述若干凸起收容于所述凹槽中。本发明的IGBT器件的散热结构在IGBT器件尺寸固定的情况下,具有良好的散热效果,保证了产品的可靠性、稳定性、以及安全性,同时延长了产品的使用寿命。
搜索关键词: igbt 器件 散热 结构
【主权项】:
一种IGBT器件的散热结构,其设置于IGBT器件中,所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片,所述IGBT器件还包括底板,所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上,其特征在于,所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽,所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起,所述底板与所述散热结构相配合时,所述若干凸起收容于所述凹槽中。
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