[发明专利]复合晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410048477.7 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN103985676B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R.贝格尔;W.莱纳特;A.毛德;G.鲁尔;R.鲁普;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/48;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10‑4mg/cm2到0.1mg/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合晶片，包括：衬底，包括多孔碳衬底芯和包装层，所述包装层以氧密封的方式包装所述衬底芯；以及接合在所述衬底上的SiC基功能层，其中所述SiC基功能层在与所述包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，所述碳化物和硅化物通过所述SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成，并且其中在所述功能层的厚度上积分的所述碳化物和硅化物形成金属的数量是10‑4mg/cm2到0.1mg/cm2。
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