[发明专利]在石英基片上沉积金刚石膜的方法有效
| 申请号： | 201410047193.6 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103787585A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑阳 | 申请（专利权）人： | 北京美顺达技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 100079 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种在石英基片上制备金刚石膜的方法，包括石英基片表面的清洗制备、二氧化硅溶胶的制备、石英基片上制备单层二氧化硅薄膜、制备多层掺纳米金刚石的二氧化硅薄膜、酸刻蚀、基片表面的预处理、沉积金刚石膜步骤。本发明的方法较传统的金刚石表面图形化的优势在于薄膜附着力好，沉积质量高，使用寿命长，操作简单可行，该方法能够应用于各种光学器件，光学窗口等保护涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 基片上 沉积 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
在石英基片上制备金刚石膜的方法，包括如下步骤：A.制备含有二氧化硅成分的溶胶，将所得溶胶密闭，恒定温度下陈化；B.将制备的溶胶在石英基片上成膜，形成含二氧化硅薄膜的石英基片；C.在所述制备的溶胶中掺入纳米金刚石微粉，在所述含二氧化硅薄膜的石英基片表面形成纳米金刚石微粉薄膜；D.在形成了含纳米金刚石微粉薄膜的石英基片表面进行刻蚀处理，露出表面的纳米金刚石颗粒，然后在石英基片的边缘处涂上石蜡，在石英基片中心刻蚀二氧化硅薄膜。E.在步骤D得到的含纳米金刚石微粉薄膜的石英基片上生长金刚石膜。
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