[发明专利]一种集成电路的熔丝结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路的熔丝结构及其制造方法。本发明所述的制造方法包括如下步骤：在硅衬底的氧化硅层上形成接触孔；在所述接触孔和所述氧化硅层表面形成钛金属层；在所述钛金属层表面形成氮化钛层；在所述接触孔中形成金属插塞；刻蚀所述金属插塞外部的氮化钛层并暴露出所述氮化钛层下方的钛金属层；在所述金属插塞和所述暴露出的钛金属层表面形成金属层；光刻，并分别将所述金属层和其下方的钛金属层刻蚀成金属条和钛金属条，形成熔丝结构。本发明的集成电路的熔丝结构不含氮化钛材料，其在熔断过程中不会形成金属熔融体或金属残留，因此能够有效避免熔丝熔断功能失效，进而保障了产品的成品率和合格率。

主权项

1.一种集成电路的熔丝结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底的氧化硅层上形成接触孔；在所述接触孔和所述氧化硅层表面形成钛金属层；在所述钛金属层表面形成氮化钛层；在所述接触孔中形成金属插塞；采用等离子体刻蚀所述金属插塞外部的氮化钛层并暴露出所述氮化钛层下方的钛金属层；在所述金属插塞和所述暴露出的钛金属层表面形成金属层；光刻，并利用等离子体分别将所述金属层和其下方的钛金属层刻蚀成金属条和钛金属条，形成熔丝结构；所述金属层具有第一窄部，所述钛金属层具有第二窄部，所述第二窄部位于所述第一窄部的正下方，并且所述第二窄部和所述第一窄部具有相同的宽度和长度；所述宽度为0.1～10μm，所述长度为1～20μm。