[发明专利]真空处理装置及其运转方法有效
申请号: | 201410044844.6 | 申请日: | 2014-02-07 |
公开(公告)号: | CN104051295B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 矶村僚一;工藤丰;下村隆浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 洪秀川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种真空处理装置及其运转方法,在经真空搬运中间室而连结了多个真空搬运室的真空处理装置中,使工作效率提高。为此,该真空处理装置具有经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理容器,在该真空处理装置的运转方法中,经真空搬运中间室使多个真空搬运室连通,向多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体,对远离锁止室的真空搬运室的搬运室内进行减压排气,使多个真空搬运室的所有的搬运室内压力高于真空处理容器的容器内压力。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 及其 运转 方法 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,其特征在于,具备:经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室;以及与该真空搬运室分别连结且在内部具有处理试料的处理室的多个真空处理容器,在各个所述真空搬运室的内部相对于所述真空处理容器内的所述处理室搬入或搬出所述试料,所述真空处理装置具备控制器,其在经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通、并使所述多个真空搬运室之中的任一个真空搬运室的排气停止的状态下,向所述一个真空搬运室供给吹扫气体,从其他的所述真空搬运室内将所述吹扫气体排气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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