[发明专利]一种扩展电阻测试样品的制备方法有效
申请号: | 201410032756.4 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810239B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 郭炜;何明;李爱民;刘竞文 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;G01R31/26;G01R27/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种扩展电阻测试样品的制备方法,其在待测样品粘贴在承载装置上之前先将待检测样品装载到一个大小合适的载体上,然后将装载有待测样品的载体粘贴到承载装置上去研磨得到具有与半圆形斜面角度相同斜面的样品,这样即使样品非常小,也能保证粘贴成功,实现样品直边与承载装置斜面交线的严格对齐,并且避免了粘贴、研磨过程中样品的损坏,提高制样的成功率以及分析结果的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 扩展 电阻 测试 样品 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种扩展电阻测试样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)提供一承载装置,所述承载装置下部为圆柱体,上部为两个用于粘贴样品的、与水平面具有固定角度α的半圆形斜面;2)截取一晶片作为待检测样品的载体,在该载体一端挖一个与载体侧边平行的凹槽;3)在所述凹槽内涂上导电胶,将待检测样品放置于凹槽内;4)在所述待检测样品表面涂覆石蜡,而后用玻璃片覆盖在石蜡及载体表面;5)将步骤4)所得到的样品放入烤箱内烘烤;6)取出所述样品,待样品冷却后将其放入丙酮溶液中浸泡,以去除所述石蜡和玻璃片;7)将步骤6)所得到的样品粘贴到承载装置上部的半圆形斜面上,对步骤6)所得到的样品进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造