[发明专利]用于静电防护的半导体结构在审
| 申请号： | 201410022415.9 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733442A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 柯钧钟;吴志伦;林硕彦 | 申请（专利权）人： | 台湾类比科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于静电防护的半导体结构，其设置在一个集成电路上，该集成电路包含一个封环设置在该集成电路的外围，一个金属环设置在该封环的内侧，以及一个电源总线设置在该金属环的一侧，该半导体结构包含一个第一P型电极区，一个第二P型电极区，以及一个第一N型电极区。该第一P型电极区形成在P型井上相对应于该封环的位置，且耦接至该封环。该第二P型电极区形成在P型井上相对应于该金属环的位置，且耦接至该金属环。该第一N型电极区形成在相对应于该电源总线的位置，且耦接至该电源总线。通过上述方式，本发明能够节省集成电路的空间且能够提高静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种用于静电防护的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构设置在一个集成电路上，所述集成电路包含一个封环(seal ring)设置在所述集成电路的外围，一个金属环设置在所述封环的内侧，以及一个电源总线设置在所述金属环的一侧，所述半导体结构包含：一个第一P型电极区，形成在一个P型井上相对应于所述封环的位置，且耦接至所述封环；一个第二P型电极区，形成在所述P型井上相对应于所述金属环的位置，且耦接至所述金属环；以及一个第一N型电极区，形成在相对应于所述电源总线的位置，且耦接至所述电源总线；其中，所述封环及所述金属环耦接至一个接地端，所述电源总线耦接至一个电压源。
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