[发明专利]一种制作平面型VDMOS的方法及平面型VDMOS

摘要

本发明揭示了一种制作平面型VDMOS的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤提供衬底；在衬底上开始生长外延层，同时开始以预定的掺杂浓度进行掺杂；在生长外延层处于预定的厚度区间期间，增大掺杂浓度；在生长外延层超出预定的厚度区间之后，恢复到预定的掺杂浓度进行掺杂，完成外延层的生长；在外延层上制作平面型VDMOS的其他结构，完成平面型VDMOS的制作。本发明在制作平面型VDMOS时，省去了专门制作外延层低电阻区域的离子注入掺杂工艺和高温退火驱入工艺，降低了工艺复杂程度，节约了制造成本。本发明还揭示了一种平面型VDMOS。

主权项

一种制作平面型VDMOS的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤S1：提供衬底；步骤S2：在衬底上开始生长外延层，同时开始以预定的掺杂浓度进行掺杂；步骤S3：在生长外延层处于预定的厚度区间期间，增大掺杂浓度；步骤S4；在生长外延层超出预定的厚度区间之后，恢复到预定的掺杂浓度进行掺杂，完成外延层的生长；步骤S5：在外延层上制作平面型VDMOS的其他结构，完成平面型VDMOS的制作；其中，所述衬底为N型衬底，所述外延层为N型外延层，所述掺杂为N掺杂，所述预定的厚度区间处于所述平面型VDMOS的P‑体区的深度的三分之二到三分之一处，或者所述衬底为P型衬底，所述外延层为P型外延层，所述掺杂为P掺杂，所述预定的厚度区间处于所述平面型VDMOS的N‑体区的深度的三分之二到三分之一处。