[发明专利]一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法

摘要

本发明公开了一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法，所述的有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、有源层和绝缘层，所述的有源层为微量有机小分子掺杂的有机半导体材料。本发明采用简单的微掺杂法，将有机小分子掺杂的有机半导体材料作为有机薄膜晶体管的有源层；有效改善了有机薄膜晶体管的稳定性，提高器件使用寿命；方法简单，成本低，有利于推广应用，具备显著的经济和社会效益。

主权项

一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法，其特征在于：采用Si（205）作栅电极并通过热氧化在其上形成一层300nm的SiO2（204）作为栅绝缘层；将Si片放入3:1的浓硫酸与双氧水配制的piranha溶液中，在加热的条件下处理20min，之后取出用大量的去离子水清洗，并用氮气吹去水滴放入烘箱烘干；通过掩膜板，采用真空蒸镀方法蒸一层100nm厚的Au（202）作为源、漏电极；为了提高Au与SiO2的结合力，在两者之间通过热蒸发引入一层5nm的Ti膜（203）；将P3HT和TPD溶解到氯仿溶剂中，分别配成10mg/mL溶液，并用微量移液器将TPD溶液掺到P3HT溶液中，掺杂浓度为0.1 wt%；将配好的溶液滴在蒸有源、漏电极的Si片表面，通过旋涂的方法制成一层50nm掺杂的P3HT膜（201）；在Ar气保护下对该膜进行热处理5min，热处理温度为230℃。